Feldeffekttransistoren oder auch FET (field-effect transistor) sind eine Gruppe von unipolaren Transistoren. Im Gegensatz zu Bipolartransistoren haben FETs nur einen Ladungstyp, der am Stromtransport beteiligt ist. Feldeffekttransistoren werden bei tiefen Frequenzen weitestgehend leistungs- bzw. verlustlos geschaltet. Die verbreitetste Art des Feldeffekttransistors ist der MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-FET).

Die Anwendungsgebiete für die verschiedenen Bauformen von Feldeffekttransistoren sind hauptsächlich von den Anforderungen an Stabilität und Rauschverhalten abhängig. IGFETs werden beispielsweise eher in der Digitaltechnik eingesetzt, JFETs häufig in der Hochfrequenztechnik.
Leistungs-MOSFETs sind Bipolartransistoren hinsichtlich der Schaltgeschwindigkeit und Verlusten, insbesondere bei Spannungen bis ca. 500 V, überlegen. Aus diesem Grund werden sie in Schaltnetzteilen und Schaltreglern eingesetzt. Durch die so möglichen hohen Schaltfrequenzen, bis ca. 1 Mhz, können kleinere induktive Bauteile eingesetzt werden.

Weiter sind Feldeffekttransistoren in Form von „intelligenten“ Leistungsschaltern im Automotive-Bereich verbreitet. Diese FETs sind mit integrierten Schutzschaltungen versehen. Sie finden darüber hinaus Anwendung als HF-Leistungsverstärker.

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