Prinzip

Hierfür bestrahlt man die Waferoberfläche mit Licht, wobei durch eine Maske Bereiche von der Belichtung ausgenommen werden. Dieses Verfahren ist jedoch in seiner Auflösung begrenzt. Im Bereich der Wellenlänge des verwendeten Lichts stößt die Auflösung des Verfahrens an ihre Grenzen. Man verwendet daher kurzwelliges UV-Licht. Hochauflösende Systeme erreichen in der Serienproduktion dabei Strukturen 100 nm Ausdehnung.

Man verwendet eine Maske aus Glas, auf der die Struktur, die auf der Waferschicht erzeugt werden soll, durch nichttransparente Beschichtung mit Chrom gegeben ist. Bei der Bestrahlung der Lackschicht durch diese Maske, werden daher nur ausgewählte Bereiche bestrahlt.

Der lichtempfindliche Lack wird dabei bei der Bestrahlung verändert. Je nach Art des Lacks wird dieser durch das auftreffende Licht für eine folgende Entwicklungsflüssigkeit löslich bzw. widerstandsfähig gemacht. Nach dem Entwickeln verbleibt daher eine Schicht aus Lack, die die Struktur der Maske übernommen hat. Je nachdem, ob diese Struktur direkt oder invertiert übernommen wurde, spricht man bei ersterem Fall von einem Positivlack, bei letzterem von einem Negativlack.

Bei einem Positivlack wird durch das energiereiche UV-Licht Stickstoff N2 abgetrennt. Es verbleibt dadurch ein sogenanntes Keto-Karben, das jedoch instabil ist und weiter zu Keten (CH2=C=O) reagiert. Durch Reaktion mit Wasser aus der Umgebung entsteht aus diesem Molekühl schließlich Inden-Carbonsäure.

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