Dazu platziert man Platten aus Bornitrid oder SiP2O7 mit Abstand zwischen die Wafer, so dass der Dotierstoff in das Gas übergehen und auf das Silizium-Material gelangen kann.

Um nur ausgewählte Bereiche zu dotieren, wird die Oberfläche zuvor mit einer Siliziumoxidschicht versehen, bei der diese Gebiete ausgespart werden. Die Diffusion durch eine solche Schicht von 300 nm Dicke ist nahezu vollständig unterbunden.
Das Dotierverfahren läuft meist in zwei Schritten ab, indem die Wafer bei etwa 900°C zuerst den Dotierstoff an der Oberfläche aufnehmen, der darauf bei 1200°C beschleunigt in das Material gebracht wird. Die Heiz- und Abkühlvorgänge müssen langsam vonstatten gehen (10°C pro Minute), um einem Verzerren der Scheiben vorzubeugen.

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