Die beeindruckende Zahl der mit der Halbleitertechnologie realisierbaren Bauteile ergibt sich erst durch die Kombination von Halbleiterschichten mit unterschiedlicher Dotierung, in denen man wie im vorigen Kapitel die Konzentration sowie das Vorzeichen der Ladungsträger beeinflussen kann. Das entscheidende dabei ist, dass so Elemente erzeugt werden können, bei denen der Energieaufwand für den Ladungstransport auf vielfache Weise beeinflusst werden kann.
Mit der Halbleiterdiode hat man ein Bauteil, das beispielsweise einen Stromfluss nur in eine Richtung zulässt, wogegen ein Transistor erlaubt, den Strom zwischen einem Kontaktpaar durch den zwischen einem anderen Paar zu steuern. Durch Verwendung verschiedener Materialien in unterschiedlicher Ausführung lassen sich die Elemente auf die unzählig vielen Anwendungsmöglichkeiten maßschneidern.
Im Folgenden wird der sogenannte p-n-Übergang, der Kontaktbereich zwischen einem p- und einem n-dotierten Halbleiter erklärt. Er ist grundlegend für das Verständnis einer Vielzahl von elektronischen Bauteilen.