Für die Anwendung des Bipolartransistors werden drei Halbleiterschichten kombiniert. Die Folge von n-p-n Bereichen kann dabei gleichwertig zur p-n-p Kombination realisiert werden. Die Kontakte an den einzelnen Schichten bezeichnet man mit Emitter (E), Basis (B) und Kollektor (C). Die Besonderheit eines Transistors ist, dass ein Strom zwischen Kollektor und Emitter durch einen kleinen Strom zwischen Basis und Emitter gesteuert werden kann.

Abb. 13: Bipolartransistor mit Schaltsymbol

Dieses Verhalten lässt sich wie folgt für einen npn-Transistor erklären:
Die Kontakte Basis und Emitter betreiben einen p-n-Übergang in Durchlassrichtung, wie er oben diskutiert wurde. Es gelangen daher Elektronen aus dem n-leitenden Emitter in die p-leitende Basis. Da diese Schicht nur sehr schwach dotiert wird und außerdem sehr dünn ist, erfolgt keine vollständige Rekombination der injizierten Ladungsträger. Eine große Zahl der Elektronen kann daher bis zur Grenzfläche zur wiederum n-leitenden Kollektor-Schicht vordringen. Durch die in diesem Übergangsbereich vorherrschende Feldverteilung jedoch werden diese Elektronen in den Kollektor weitergesaugt. Zugleich werden die in die Basis injizierten Löcher (aus dem +Pol der Spannung zwischen Basis und Emitter) zurückgehalten.

Letztendlich wird also ein hoher Stromfluss vom Emitter zum Kollektor erzeugt, wogegen der Strom zwischen Basis und Emitter sehr schwach ist.

Abb. 14: Bipolartransistor mit Beschaltung für den leitenden Zustand

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