Mit dem Plasma Enhanced CVD-Verfahren wird die Abscheidung bei Temperaturen um 300°C ermöglicht, wodurch andere Strukturen nicht zerstört werden (wie zum Beispiel Aluminium-Strukturen, die bei 500°C schmelzen). Die bei dieser Temperatur allein nicht einsetzenden Zersetzungsreaktionen der Prozessgase werden dabei durch Anregung eines Plasmas (siehe link: Der Plasmazustand; Erzeugung und Aufrechterhaltung) mit hochfrequenten elektrischen Feldern ausgelöst.

Das Silizium wird über das Gas SiH2Cl2 bereitgestellt, von dem es sich bei relativ geringen Temperaturen abspaltet. Mit Unterstützung der Plasmaanregung sind dann die geringen Prozesstemperaturen bei 300°C möglich.

Die Abscheidung von SiO2 und Siliziumnitrid Si3N4 bei geringer Konformität (k<0,8) aber hoher Wachstumsgeschwindigkeit (bis zu 500 nm/min) ist hiermit möglich.

Abb. 35: Eine Anlage zur Umsetzung des PECVD Prozesses. Dabei können mehrere Prozesskammern über ein Schleusensystem mit einem Greifarm automatisiert bedient werden. Die Wafer können in einer eigenen Kammer in einer Horde gesammelt werden.

Es können mehrere Prozessanlagen durch einen Greifarm automatisiert bedient werden. (Beispiel in Abb. 35). Dazu werden die Wafer in ein Vorratslager eingesetzt. Von dort werden sie dann über eine Zwischenschleuse, die die Druckunterschiede überbrückt, in die Prozesskammer zur Abscheidung weitergereicht.

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