Bei dem CVD-Verfahren unter Atmosphärendruck (atmospheric pressure CVD; APCVD), also ohne Evakuierung der Prozessanlage, werden bei einer Temperatur von etwa 400°C Oxidschichten evtl. zusammen mit Fremdstoffen abgeschieden. Die dazu nötigen Elemente Silizium und Sauerstoff werden über die Gase Silan SiH4 und O2 unter Zugabe von Stickstoff bereitgestellt.

Zur Siliziumoxidbildung laufen dann folgende Reaktionen ab:

SiH4 + 2O2 -> SiO2 + 2H2O
SiH4 + O2 > SiO2 + 2H2

Wegen der geringen Prozesstemperatur werden nur geringe Werte der Konformität erreicht, so dass Kanten mit deutlich weniger Material bedeckt werden, als die waagrechten Flächen. Durch Zugabe von Ozon wird die Dynamik der anlagernden Teilchen beeinflusst, so dass sich deren Beweglichkeit auf dem Substrat erhöht. Dickenunterschiede können damit ausgeglichen und somit die Konformität gesteigert werden.

Zur Entschärfung der bei der folgenden Strukturierung der Oxidschicht entstehenden scharfen Kanten, erzielt man durch Beimischung der Gase Phosphin und Diboran die Integration von Phosphor und Bor in die Oxidstruktur. Damit wird dessen Schmelzpunkt auf unter 900°C erniedrigt, so dass durch kurzzeitiges Schmelzen der Schicht harte Umbrüche entschärft werden. Dies ist für die Qualität der darauf aufgebrachten Metallkontakte bei stark miniaturisierten Strukturen wichtig.

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